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清设报第2011130号
清华大学拟对购置刻蚀机项目进行招标，欢迎具有相应资质的单位报名参与投标。项目情况及相关要求如下：
一、项目简介
清华大学微电子学研究所购置刻蚀机设备用于刻蚀微电子金属、金属氧化物及半导体等材料的科学研究项目。
二、招标内容
拟购置ICP或RIE刻蚀机两套，主要技术指标要求如下：
1、刻蚀材料的性能要求：
具有刻蚀金属/合金、金属氧化物及半导体等常见微电子材料的功能，也能刻蚀氮化钛、氧化铪、铂等研究材料。
2、刻蚀基片的性能指标：
满足4”、5”、6”片基的刻蚀，并能延伸到2”、3”及不规则切片的刻蚀。
3、刻蚀结构的性能指标：
能够刻蚀MOSFET及刻蚀等典型半导体器件结构，对于常见的钝化层刻孔深宽比大于5。
4、对常用材料的刻蚀技术指标：
1) Al刻蚀重复性及均匀性≤±5%，对氧化硅、氧化铪及氧化铝的选择比≥3.0。
2) 能够刻蚀氧化铪薄膜材料，其刻蚀的重复性及均匀性达到≤±5%，对硅的选择比≥0.3。
3) 对硅、氧化硅及铝的线宽≤200nm。
5、设备结构及配置要求:
具有loadlock传输片基的装置，合理设置等离子源，保持稳定的刻蚀速率。
三、资格预审要求
1、独立法人资格，投标生产企业注册资金1000万元（含1000万元）以上，有针对本项目的法人代表授权委托书（原件）；
2、投标单位营业执照（复印件，加盖公章）；
3、年度销售业绩（提供财务审计报告复印件，加盖公章）；
4、不同时为制造商的投标商应提供对此次招标项目的制造商授权书（原件）。
5、企业资质证明、质量体系认证及其它相关材料（复印件，加盖公章）。
报名时需提交以上资料，同时附上准备投标产品的品牌、型号以及该产品与本招标公告所开列的主要技术要求相对应的指标参数或文字表述。招标单位根据以上证明资料进行资格预审，招标人将从资格预审通过者中遴选邀请对象，未被邀请者恕不另行通知。
四、报名时间与地点
报名时间：2011年12月 19 日－2011年12月26日
（每天上午8:30-11:30，下午1:30-4:30，节假日休息）
报名地点：清华大学实验室与设备处9号楼203室
五、联系方式
联 系 人：王老师，刘老师 联系电话：010－62785713，62791150
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