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清设报第2012067号
清华大学拟对购置“磁控溅射镀膜机”项目进行招标，欢迎具有相应资质的单位报名参与投标。项目情况及相关要求如下：
一、项目简介
清华大学微电子学研究所购置“磁控溅射镀膜机”，用于微电子器件研究试验项目。
二、招标内容
磁控溅射镀膜机一台，主要要求如下：
(一)、技术指标：
1．设备采用双反应室，分别溅射金属材料与非金属材料，且金属溅射室兼做预真空室；
2．极限真空度：金属溅射室≥1.0×10-5Pa (环境湿度≤55%)，非金属溅射室≥1.0×10-5Pa (环境湿度≤55%)；
3．溅射方式：采用倾斜溅射，且样品在上靶材在下，能够有效控制薄膜的均匀性及其污染；
4. 溅射材料：金属材料(Pt、Ti、Au、Ir等)，非金属材料(PZT、BFO等铁电材料，ZnO、Al2O3等氧化物、介质材料等)
5. 抽速：金属溅射室在短时间暴露大气后从开始抽气至9*10-4Pa时间≤40min；非金属溅射室不暴露大气，从送完样片开始抽气至9*10-5Pa时间≤60min；
6. 系统静态升压率：系统抽至高真空，停泵关机12小时，溅射室真空度≤10Pa；
7. 溅射速率：0.2-2 nm/s，且溅射速率、溅射功率可调；
8. 溅射不均匀性：≤±5% (φ4 吋范围内)；
9. 6只磁控溅射靶，倾斜下置安装，且要求靶材的尺寸小于样品的尺寸；
10. 样品加热温度：样品衬底可以加热，可以自动控温、测温，样品最高加热温度需达至600℃ (以Si片加热为例)。测温精度需高于±2%，控温精度需高于±1%；
11. 溅射靶面至基片的距离可调；
12. 载片量：4英寸单片，并且可以兼容小于4英寸的样片；
13. 工作台必须可自转，转速必须可调；
14. 可以实现单层膜溅射、复合膜溅射以及多层膜交替溅射等。
(二)、设备配置：
1. 真空溅射室两套，相应配置盖室的升降系统；
2. 真空抽气系统：抽速600升/秒的分子泵两台，抽速8升/秒的真空泵两台，配置超高真空电动插板阀、电磁隔断阀，并且要求配置恒压控制软件；
3. 电源：射频电源是磁控溅射最重要的部件之一，13.56MHz、600W的射频电源及自动匹配器一套（进口）， DC1000W直流电源两台，200V直流偏压电源一台，并且配置电源自动切换系统；
4. 六只磁控靶，要求靶材尺寸小于样片尺寸；
5. 气路系统：质量流量控制器(需进口)及气路系统两套；
6. 真空测量：真空计两台，电阻规、薄膜规各一台；
7. 样品自动传送系统1套，自动机械手一套，超高真空插板阀一套，旋转工件盘两套，加热及测温系统两套，水冷系统两套，磁控靶挡板系统两套；
8. 自动控制系统一套，包括工控机一台、触摸显示屏一套、西门子PLC一套等；
9. 观察窗两套；
10. 配置在线膜厚测试设备-膜厚测试仪，用以测试溅射薄膜厚度；
11. 适当预留电源接口，用于将来的设备进一步拓展。
（三）售后服务
1. 免费保修期至少一年（包括所需备件费用）。
2. 免费提供对2名用户管理人员的技术培训和基本维护培训。
3. 要求卖方在用户现场进行技术培训，一年以后提供现场的深入技术培训，终生提供免费的应用咨询以及技术帮助
4. 要求所有参与招标产品的生产、销售、后续维护等服务全部由同一家单位完成。
(四) 其余服务
1. 可提供磁控溅射相关工艺实验参数，利于研究进行；
2. 可提供溅射靶材定制服务。
三、资格预审要求
1、独立法人资格，提供投标单位营业执照的复印件，并加盖公章）；
2、有针对本项目的法人代表授权委托书（原件）；
3、年度销售业绩（提供财务审计报告复印件，加盖公章）；
4、 不同时为制造商的投标商应提供对此次招标项目的制造商授权书（原件）。
5、企业资质证明、质量体系认证、计算机信息系统集成一级资质及其它相关材料（复印件，加盖公章）。
6. 提供产品相关技术性能资料。
报名时需提交以上资料，招标单位根据以上证明资料进行资格预审，招标人将从资格预审通过者中遴选邀请对象，未被邀请者恕不另行通知。
四、报名时间与地点
报名时间：2012年9月5日－2012年9月14日
（每天上午8:30-11:30，下午1:30-4:30，节假日休息）
报名地点：清华大学实验室与设备处9号楼223室
五、联系方式
联 系 人：王慧 联系电话：010－62785713
E-mail: sys-zb@tsinghua.edu.cn
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